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heise onlineNuevos materiales de galio y germanio para semiconductores de potencia están madurando
Empresas japonesas están desarrollando nuevos materiales semiconductores como óxido de galio(III) y óxido de germanio(IV) para aplicaciones de potencia. Estos materiales prometen un mayor ancho de banda de banda prohibida, superando a tecnologías existentes como el SiC. Aunque aún no hay dispositivos en serie, se espera que estos avances mejoren la eficiencia y reduzcan los costos de los componentes electrónicos.