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Tom's HardwareMicron planea usar unión de obleas y EUV High-NA para su DRAM de próxima generación
Micron anunció que introducirá la unión de obleas en su proceso DRAM 1ε y adoptará litografía EUV High-NA en las generaciones posteriores (ζÅ y ηÅ), tras descartar las celdas 4F² de su hoja de ruta. La empresa también desarrolla memoria de alto ancho de banda vertical (vHBM) y memoria de inferencia de borde vertical (vEIM), que se integrarán directamente sobre los procesadores para reducir latencias y mejorar la eficiencia energética. Su proceso 1δ entrará en producción en volumen en la segunda mitad de 2027, con un aumento de densidad de bits de alrededor del 20%.